宾夕法尼亚大学：下丘脑神经元影响压力并引起

美国宾夕法尼亚大学的研究人员发现，下丘脑中的一组神经元可能是睡眠障碍和记忆记忆的关键。该研究发表在《神经科学杂志》上，指出，下丘脑中的室室核神经元通过特定的机制将压力对睡眠和记忆的影响核心，为应激相关睡眠障碍的治疗提供了新的方向。先前的研究已经知道，旁腔核神经元通过释放皮质激素来调节应激，并且与与睡眠和记忆有关的大脑区域有关，但它们的具体作用机理尚不清楚。为了探索这个问题，研究人员对大鼠施加压力（例如，结果表明，压力小鼠只会降低睡眠质量，但记忆力明显降低。其他实验表明，脑腔内神经元的激活将重现这些负面影响，同时防止这些神经元可以改善睡眠，并更明显地改善记忆力的表现。该搜索表明，压力可以分别通过不同的路径影响睡眠和记忆。神经科学家指出，这意味着“睡眠障碍可以与压力路径非常独立。”其他研究人员认为，这种搜索是理解压力如何影响行为的重要发展。研究人员指出，睡眠和记忆问题是许多疾病的早期症状，例如PTSD和原发性抑郁症，并且经常出现在明确检查之前。旁腔核神经元的治疗有望延迟这些疾病的发展。这项研究不仅揭示了压力与睡眠与记忆之间的关系，而且还为与未来治疗有关的疾病提供了潜在的靶标。